机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:CMOS技术带隙电压参考的偏移补偿技术
机译:带隙电压参考电路部分耗尽的硅 - 绝缘体CMOS技术
机译:使用偏移像素孔径技术的CMOS图像传感器进行深度提取的视差信息分析
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真